지난 4월 16일, 창업주 한규진 대표는 보유 지분 265만 주 중 210만 주를 장남 한태성 이사(現 연구소장)에게 증여했다. 이로써 한 이사는 지분 26.93%를 확보하며 최대주주로 등극했으며, 증여된 지분은 가업승계제도에 따라 5년간 처분이 제한된다. 한 이사는 인하대학교 전자공학과를 졸업, LG디스플레이에서 11년간 연구개발 업무를 수행한 기술 전문가로, 2022년 코스텍시스에 합류해 현재 연구소장을 겸임하고 있다.
코스텍시스는 안정적인 지배구조를 기반으로 ▲전력반도체 시장 공략 ▲글로벌 공급망 확대 ▲차세대 기술 및 신시장 진출 등 세 가지 전략적 영역에 역량을 집중하고 있다. AI, 데이터센터, 전기차, 5G 통신 등 고전력·고온 환경에서 전력반도체 수요가 증가함에 따라, 코스텍시스는 국내 최초로 SiC(탄화규소) 및 GaN(갈륨나이트라이드) 기반 전력반도체용 고방열 스페이서를 상용화하고 글로벌 고객사에 공급을 시작했으며, 양산 대응을 위한 생산설비 투자도 진행 중이다.
또한 NXP 등 글로벌 반도체 기업에 제품을 납품하고 있으며, 북미·유럽·중동 등 5G 인프라 확장 지역을 중심으로 공급 확대 전략을 병행하고 있다. 이와 함께 일본산 고방열 소재의 국산화에 성공하며 기술 자립도를 확보했으며, 실리콘 포토닉스 및 양자통신 등 차세대 반도체 패키징 기술을 자체 개발 중으로, 신시장 진입과 기술 차별화 기반 마련에 주력하고 있다.
코스텍시스 한규진 대표는 “고집적 반도체의 발열 문제 해결은 글로벌 반도체 산업의 핵심 과제이며, 고방열 소재 수요는 구조적 성장 국면에 진입했다”며, “기술력과 전략 고객 기반을 바탕으로 전력반도체 소재 시장에서의 입지를 확대하고, 수익성과 점유율 극대화에 집중할 것”이라고 밝혔다.
코스텍시스는 2025년 흑자 전환을 최우선 경영목표로 지속 가능한 성장 체제를 구축하겠다는 계획이다.
한경비즈니스 온라인뉴스팀 기자 biznews@hankyung.com
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