(사진) 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작하는 '1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램' 제품. /삼성전자 제공
[한경비즈니스=최은석 기자] 삼성전자는 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 본격 양산한다고 20일 발표했다.
삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노는 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.
삼성전자는 2016년 2월 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 데 이어 21개월 만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
삼성전자는 2012년 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량·속도·소비전력효율을 두 배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 기점으로 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며 "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환하는 등 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.
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