삼성전자는 18일 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D 단지의 설비 반입식을 열었다고 밝혔다. 이날 행사에는 삼성전자 반도체 부문을 총괄하는 전영현 DS본부장(부회장)을 비롯해 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다.
기흥캠퍼스 R&D 단지는 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 예정이다.
전 부회장은 이날 기념사에서 “R&D센터를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라며 “삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다”고 밝혔다. R&D센터가 들어서는 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 삼성전자 반도체 성공 역사의 산실이다.
이재용 삼성전자 회장은 2022년 8월 특별 복권을 받은 직후 이곳 기공식에 참석했었다. 당시 이 회장은 “반도체 사업이 다시 한번 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다”며 “기술 리더십이 위기에도 흔들리지 않도록 선행 투자를 주저하지 말라”고 강조했다.
김영은 기자 kye0218@hankyung.com
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