{삼성전자, 세계 최초 10나노급 2세대 D램 양산}
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◆삼성전자, 세계 최초 10나노급 2세대 D램 양산
[한경비즈니스=이정흔 기자] 삼성전자가 또 한 번의 ‘세계 최초’ 기록을 썼다. 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’ 양산에 성공했다.
삼성전자는 2017년 11월부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노=10억 분의 1m) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다. 2016년 2월에 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월 만에 또다시 반도체 미세 공정 한계를 극복했다.
2세대 10나노급 D램은 ‘초고속·초절전·소형 회로 설계’를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도가 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다. 이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △‘초고속·초절전·초소형 회로 설계’ △‘초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’ △‘2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’ 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다. 삼성전자는 향후 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다. 진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했다.
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vivajh@hankyung.com I 사진 한국경제신문·연합뉴스
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