삼성전자, 세계 최초 3나노 파운드리 출하

[비즈니스 플라자]

7월 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식에서 이창양 산업통상자원부 장관과 경계현 삼성전자 대표이사 등 임직원들이 세리머니를 하고 있다. 사진=한국경제신문

삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 기술 ‘게이트올어라운드(GAA)’를 적용한 3나노미터 파운드리 제품을 출하했다.

삼성전자는 7월 25일 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 라인인 V1에서 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. GAA 기술을 적용한 3나노 반도체 제품 양산은 삼성전자가 처음이다.

경계현 삼성전자 DS부문장 사장은 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업 역사에 한 획을 그었다”면서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했고 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난 6월 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에 전류가 흐르는 채널 4개 면을 게이트가 감싸는 형태로 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해 데이터 처리 속도와 전력 효율이 높은 게 특징이다.

삼성전자의 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정보다 전력을 45% 절감하고 성능을 23% 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고 주요 고객들과 모바일 시스템온칩 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용할 방침이다.

향후 삼성전자는 3나노 GAA 파운드리를 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

김태림 기자 tae@hankyung.com