[100대 CEO]
약력 : 1958년생. 강릉고. 서울대 전자공학과. 카이스트 전자공학 석사. UCLA 전자공학 박사. 1981년 삼성전자. 2010년 삼성전자 종합기술원장. 2013년 삼성전자 메모리사업부장. 2017년 삼성전자 사장. 2018년 삼성전자 부회장(현).
약력 : 1958년생. 강릉고. 서울대 전자공학과. 카이스트 전자공학 석사. UCLA 전자공학 박사. 1981년 삼성전자. 2010년 삼성전자 종합기술원장. 2013년 삼성전자 메모리사업부장. 2017년 삼성전자 사장. 2018년 삼성전자 부회장(현).
김기남 삼성전자(77,200 +1.45%) 부회장은 1981년 삼성전자 반도체연구소에 입사해 종합기술원장·메모리사업부장·시스템 LSI사업부장 등 요직을 두루 역임한 반도체 전문가다. 20년 이상 메모리 반도체 고집적화의 핵심 역할을 담당하며 삼성전자가 메모리 반도체 1위를 달성하는 데 공헌했다.

김 부회장은 2017년 삼성전자의 반도체 사업을 총괄하는 DS부문장에 선임된 뒤 탁월한 기술 리더십을 바탕으로 반도체 초격차를 이끌어 온 일등 공신으로 꼽힌다. 삼성전자는 2017년 말 전 세계 반도체 시장에서 종합 1위를 달성한 이후 메모리 제품 수요와 가격의 급격한 하락에도 불구하고 선두 자리를 지키고 있다.

김 부회장은 끊임없는 혁신으로 업계 최초의 성과들을 달성하고 의미 있는 수준의 차별화를 지속하는 등 삼성전자가 메모리와 비메모리 분야에서 세계적 지위를 공고히 하는 데 기여했다는 평가를 받는다.
김기남 삼성전자 부회장, ‘반도체 비전 2030’ 달성 위해 투자 확대
김 부회장은 특히 ‘시스템 반도체 비전 2030’을 달성하기 위해 투자를 지속 확대하고 있다. 정부는 2019년 4월 삼성전자 화성사업장에서 ‘시스템 반도체 비전 선포식’을 열고 시스템 반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 이때 ‘시스템 반도체 비전 2030’을 제시하며 133조원 규모의 투자 계획을 발표한 바 있다.

삼성전자는 지난 5월 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K반도체 벨트 전략 보고 대회’에서 시스템 반도체 분야에 대한 추가 투자 계획을 발표했다. 시스템 반도체 리더십의 조기 확보를 위해 2년 전 수립한 투자 계획에 38조원을 더해 2030년까지 총 171조원을 투자하기로 했다. 삼성전자는 우선 첨단 파운드리 공정 연구·개발(R&D)과 생산 라인 건설에 박차를 가할 계획이다.

2022년 하반기 완공될 삼성전자 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 자동으로 관리된다. 삼성전자 평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로 최첨단 제품을 양산하는 전초 기지이자 글로벌 반도체 공급 기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나갈 예정이다. 메모리와 시스템 반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’, D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가해 ‘초격차 세계 1위’의 위상을 강화할 계획이다.

김 부회장은 “한국이 줄곧 선두를 지켜 온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 “수성에 힘쓰기보다 결코 따라올 수 없는 ‘초격차’를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장설 것”이라고 강조했다.

최은석 기자 choies@hankyung.com

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